一種光尋址電聚合裝置,由測量池、陣列芯片、電化學工作站、LED陣列光源、LED陣列光源控制器、鎖相放大器、參比電極和對比電極組成,將具有MOS陣列結(jié)構(gòu)光尋址陣列芯片被安裝到光尋址的電聚合的裝置中,通過被高頻調(diào)制的紅外LED,選擇性地激勵敏感單元,使芯片的MOS電容陣列被選通。在外電路的電化學工作站電源的驅(qū)動下,與參比電極構(gòu)成光尋址、選擇性的循環(huán)伏安的電化學回路,從而可以實現(xiàn)光尋址的電聚合。光尋址的電聚合與分子印跡技術(shù)相結(jié)合,將構(gòu)成光尋址分子印跡電化學修飾方法。本發(fā)明為解決陣列芯片的敏感薄膜電化學修飾提供了一種有效的方法,使光尋址傳感器能更好地發(fā)揮具有多參數(shù),檢測儀器簡便的優(yōu)勢。