本發(fā)明公開一種基于CdZnTeS量子點(diǎn)的
電化學(xué)發(fā)光免疫傳感器,包括CdZnTeS?Ab2、非特異性結(jié)合位點(diǎn)被封閉的Fe3O4@SiO2?Ab1以及分別與CdZnTeS?Ab2和Fe3O4@SiO2?Ab1通過抗原?抗體間的相互作用連接的抗原;CdZnTeS?Ab2為CdZnTeS量子點(diǎn)標(biāo)記的二抗;Fe3O4@SiO2?Ab1為表面修飾有一抗的Fe3O4@SiO2。本發(fā)明還提供上述電化學(xué)發(fā)光免疫傳感器的制備方法和應(yīng)用。本發(fā)明基于抗原與抗體之間的相互作用構(gòu)建電化學(xué)發(fā)光免疫傳感器,大大提高了檢測(cè)的特異性,檢測(cè)速度快、靈敏度高、特異性好、檢測(cè)限低、可檢測(cè)的線性范圍寬、操作簡單,并且能夠?qū)崿F(xiàn)可視化檢測(cè)。
聲明:
“基于CdZnTeS量子點(diǎn)的電化學(xué)發(fā)光免疫傳感器及其制備方法和應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)