本發(fā)明提供了一種半導體功率器件失效分析的失效點定位方法，包括以下步驟：利用化學腐蝕剝層技術對覆蓋在功率器件表面的金屬鋁層進行化學腐蝕，將鋁層完全腐蝕去除，同時完整保留金屬鋁下層的阻擋層；利用微光顯微鏡和光束誘導電阻變化技術對功率器件進行正面定位，模擬失效情況下的電性條件，以及使用點針的方法進行加電，模擬電性條件，找出可能的失效點；利用電子封裝組裝失效分析工具對之前步驟的定位結果進行電子封裝組裝失效分析的物理驗證，找出最終的物理失效點。本發(fā)明有以下優(yōu)點：有效地對金屬鋁層進行剝離，同時保持了阻擋層的完整性；極大地加快了半導體功率器件失效點定位工作的速度和效率，同時保持了很高的精度。