本發(fā)明公開了一種為SiGe薄膜定量分析制作的標(biāo)準(zhǔn)樣品,該標(biāo)準(zhǔn)樣品是一個(gè)多層結(jié)構(gòu)的SiGe薄膜淀積在Si襯底上;每一層的厚度范圍從100埃到2000埃,每一層SiGe薄膜的Ge和Si的原子百分比(at%)不同,其中Ge的范圍從0.1at%到99at%。此外,本發(fā)明還公開了該標(biāo)準(zhǔn)樣品的制備方法,此方法使用CVD技術(shù)將具有多層結(jié)構(gòu)的SiGe薄膜淀積在Si襯底上,利用CVD設(shè)備中的氣相流量計(jì)控制進(jìn)入反應(yīng)過程中的GeH4和SiH4的化學(xué)成分比,并由此可以對(duì)每一層的SiGe薄膜粗略估計(jì)其Si,Ge的化學(xué)組成比;然后使用SIMS對(duì)每一層的SiGe的化學(xué)組成比進(jìn)行精確測(cè)定。本發(fā)明可大大降低制作成本。