本發(fā)明公開了一種分析半導體材料的成份的方法,包括用能量源的能量輻射半導體材料,能量從該半導體材料衍射,檢測衍射能量的一部分或多部分,并分析每個檢測到的部分以獲得一個表示每部分強度的參數,并利用對衍射能量部分的位置和/或強度的了解來確定半導體的化學成份。檢測到的每部分衍射能量可以是從材料衍射的準禁止反射,可以是從材料衍射的(002)反射或(006)反射。對每部分衍射能量的檢測可以在一個或多個檢測角(9)處進行,或者在衍射能量源的所有反射/透射的角處進行,或在一個或多個角度的范圍內進行。能量源可包括x射線管產生的x射線,可以用一個或多個檢測器(4)檢測衍射能量的每部分。