本發(fā)明提供汞離子的光
電化學(xué)測(cè)定。水溶性ZnX(X代表硫、硒)量子點(diǎn)可以修飾到ITO電極表面,在一定緩沖條件和一定濃度電子供體的存在下,光照后可以產(chǎn)生光電流但電流值較小,然后當(dāng)加入Hg2+之后,光電流強(qiáng)度升高,從而使Hg2+得到測(cè)定。與最常用的通過(guò)分光光度法、原子吸收或原子發(fā)射光譜法測(cè)定汞離子相比,本發(fā)明使用的儀器設(shè)備比較簡(jiǎn)單和廉價(jià),并且能夠提高汞離子測(cè)定的選擇性,常見(jiàn)的共存離子Ag+、Cu2+、Pb2+等在較高濃度時(shí)也不干擾測(cè)定。據(jù)我們所知,基于量子點(diǎn)
納米材料的光電化學(xué)方法還沒(méi)有應(yīng)用于汞離子的測(cè)定中。本發(fā)明能夠?qū)g2+實(shí)現(xiàn)高靈敏和高選擇性測(cè)定,線性范圍為1.0×10-8mol/L到1.0×10-5mol/L,檢測(cè)限為4.6×10-9mol/L。
聲明:
“汞離子的光電化學(xué)測(cè)定” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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