根據(jù)作為傳感器芯片的基本特性的溫度依賴性，隨著電力的供給，傳感器芯片本身的溫度上升。而且，如果在溫度上升變?yōu)榉€(wěn)定狀態(tài)，傳感器芯片光電二極管暗電流變?yōu)楹愣ǖ臅r刻，添加化學(xué)發(fā)光反應(yīng)試劑，則依賴于試劑溫度，傳感器芯片溫度發(fā)生急劇的變化。此時，傳感器芯片光電二極管暗電流發(fā)生顯著的偏差。通過利用熱擴散介質(zhì)的放熱作用使傳感器芯片的溫度變化為最低限度，從而使傳感器芯片光電二極管暗電流的偏差(不穩(wěn)定化)降低。