本發(fā)明公開(kāi)了一種半導(dǎo)體廢硅泥的二氧化硅再生方法，其方法如下：將廢硅泥進(jìn)行第一次干燥，干燥條件為150～300℃，干燥時(shí)間為1～3小時(shí)，得硅泥固體；將所得的硅泥固體置入第一攪拌裝置內(nèi)，并加入第一浸漬溶液進(jìn)行第一次攪拌；將所得之物進(jìn)行第一次過(guò)濾及清洗；將所得之物進(jìn)行第二次干燥；將所得之物置入第二攪拌裝置中進(jìn)行純化，并加入第二浸漬溶液進(jìn)行第二次攪拌；將所得之物進(jìn)行第二次過(guò)濾及清洗；將所得之物進(jìn)行第三次干燥；將所得之物進(jìn)行研磨，使顆粒通過(guò)100mesh篩網(wǎng)，剩余顆粒大于100mesh的固體則繼續(xù)研磨，即可得到粒度均勻且二氧化硅含量大于90％的粉體。