本發(fā)明提供了一種具有嵌入式包覆層的高鎳正極材料及其制備方法，該高鎳正極材料為石榴型結構，包括內核和嵌入式包覆層，所述的內核的化學式為LiNixCoyM1?x?yO2，其中M為Mn、Mg、Al、Ti、Zr、Y、Nb或W中的一種或多種，0.6＜x≤0.96，0≤y＜0.4。本發(fā)明所述的具有嵌入式包覆層的高鎳正極材料采用機械性能優(yōu)異的硼化鈷，抑制高鎳系正極材料的應力應變，在充放電過程中，隨著鋰離子的嵌入/脫出，鎳的價態(tài)不斷變化，導致層間氧不穩(wěn)定容易析出，從而使高鎳材料發(fā)生相變；硼化鈷親氧形成氧化硼（少量）后可以有效抑制氧的穿透析出，維持晶體結構的穩(wěn)定性。