本發(fā)明涉及一種二次電池及電子設備。提供一種二次電池，該二次電池為在提高充電深度時的dQ/dVvsV曲線中在4.55V附近具有較寬峰的正極活性物質(zhì)的二次電池?；蛘撸峁┮环N二次電池，該二次電池使用如下正極活性物質(zhì)：在充電電壓為4.6V以上且4.8V以下，充電深度為0.8以上且低于0.9的情況下也不成為H1?3型結(jié)構，可以保持CoO2層的偏離被抑制的晶體結(jié)構。在dQ/dVvsV曲線中4.55V附近的峰較寬意味著在其附近的抽出鋰所需的能量變化少且晶體結(jié)構的變化少。因此，可以得到CoO2層的偏離及體積的變化影響較少且即使充電深度較高也較穩(wěn)定的正極活性物質(zhì)。