本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N負(fù)極極片、包含該負(fù)極極片的電化學(xué)裝置和電子裝置，其中負(fù)極極片包含負(fù)極材料層，所述負(fù)極材料層包含硅基顆粒和石墨顆粒，所述硅基顆粒中硅含量B為20wt％至60wt％，所述硅基顆粒的孔隙率α1為15％至60％，所述負(fù)極極片孔隙率α2為15％至41％，通過以上設(shè)計(jì)，使負(fù)極極片既能有一定的空間供嵌鋰膨脹，又能兼顧其結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性和加工性，從而有效改善電化學(xué)裝置的循環(huán)性能和膨脹變形的問題。