本發(fā)明提出了一種低溫制備納米碳化硅的方法,該方法采用“雙限域”過程,首先通過熱解二氧化硅/聚合物的復(fù)合物制備二氧化硅/碳的復(fù)合物,然后將得到的復(fù)合物與
金屬鎂或鈣機械混合,在密閉的反應(yīng)器內(nèi)熱處理,最后,用鹽酸和氫氟酸依次清洗可得到納米結(jié)構(gòu)SiC。在這一合成路線中二氧化硅/碳復(fù)合物中的碳骨架提供第一限域效應(yīng),限制納米SiC的長大,而密閉反應(yīng)器提供第二限域效應(yīng),降低碳熱還原的溫度。該方法制備的納米碳化硅具有大的比表面積和豐富的孔隙,可以作為載體負(fù)載金屬銀催化劑,以及用于鋰離子電池
負(fù)極材料。本發(fā)明提供的納米碳化硅制備方法,工藝過程簡單、便于實現(xiàn)規(guī)?;a(chǎn)。
聲明:
“低溫制備納米碳化硅的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)