本發(fā)明提供一種高電導(dǎo)率Si/C納米膜的制備方法，該方法包括以下步驟：首先，將碳源和硅源按1～24：1的質(zhì)量比溶解于溶劑中，經(jīng)攪拌得到預(yù)溶液；其次，將預(yù)溶液進(jìn)行靜電紡絲，獲得預(yù)產(chǎn)物；再次，將所述預(yù)產(chǎn)物依次經(jīng)過干燥、固化和煅燒操作，得到Si/C納米膜；最后，將上述Si/C納米膜進(jìn)行真空鍍膜，鍍一層導(dǎo)電層，即得到高電導(dǎo)率Si/C納米膜。本發(fā)明所制得的高電導(dǎo)率Si/C納米膜作為鋰電負(fù)極材料應(yīng)用時(shí)，不僅體現(xiàn)出優(yōu)異的導(dǎo)電性能，還能顯著提高鋰離子電池的循環(huán)穩(wěn)定性和倍率性能，能夠更好的滿足純電動(dòng)車電池負(fù)極材料的應(yīng)用需求。