本發(fā)明公開了一種改進的集成光學(xué)裝置(5a－ 5g)，該裝置設(shè)有第一和第二裝置(10a－10g；15a，15e)，后者 彼此光耦合并以第一和第二不同的材料體系制成，第一或第二 裝置(10a－10g；15a，15e)之一在第一與第二裝置(10a－10g； 15a，15e)之間的耦合區(qū)處或其附近具有量子勢阱混雜(QWI)區(qū) (20a，20g)。第一材料體系可以是基于砷化鎵(GaAs)或磷化銦 (InP)的III－V半導(dǎo)體，而第二材料體系可以是二氧化硅(SiO2)、硅(Si)、鈮酸鋰(LiNbO3)、聚合物，或玻璃。