本發(fā)明公開的Li摻雜生長p型ZnO晶體薄膜的 方法采用的是磁控濺射法，將襯底清洗后放入直流反應磁控濺 射裝置反應室中，反應室抽真空，以鋅鋰合金為靶材，以 O2和Ar作為濺射氣氛，在3～ 5Pa壓強下，于400～600℃下進行濺射生長，生長結束后薄膜 在Ar氣氛下退火。本發(fā)明方法簡單，p型摻雜濃度可以通過調 節(jié)靶材中Li的含量和生長氣氛中 O2∶Ar的不同分壓比來控制； 在ZnO晶體薄膜生長過程中可以實現(xiàn)受主Li的實時摻雜；由 于摻雜元素來自靶材，因此可以實現(xiàn)高濃度摻雜；本發(fā)明與V 族元素摻雜相比，以金屬Li離子替代摻雜具有更淺的受主能 級，制得的p－ZnO薄膜具有良好的電學性能，重復性和穩(wěn)定 性。