本發(fā)明涉及一種能源技術(shù)領(lǐng)域的用于
鋰電池的二氧化錫納米線陣列電極的制備方法,以錫粉為原料、IV~VI族單體作為納米線生長方向誘導(dǎo)劑,以貴金屬作為催化劑,在800~1300℃范圍內(nèi),常壓下熱蒸發(fā),在硅基底上得到二氧化錫納米線陣列。本發(fā)明首次提出使用IV~VI族單體作為生長方向誘導(dǎo)試劑,使納米線以氣液固(VLS)機(jī)制在表面能較高的(001)面優(yōu)先呈陣列生長,從而得到規(guī)則、有序、較長的二氧化錫納米線陣列。該納米線陣列適用于高性能鋰電池電極。
聲明:
“用于鋰電池的二氧化錫納米線陣列電極的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)