本發(fā)明的目的在于提供一種不需要減壓工序、多達(dá)數(shù)次的還原處理,并且通過新型的還原處理制造均質(zhì)性高的體積電阻率為1×1010Ω·cm以上并小于1×1012Ω·cm的鉭酸鋰單晶基板的方法。本發(fā)明的特征在于,將體積電阻率為1×1012Ω·cm以上且為單疇結(jié)構(gòu)的鉭酸鋰單晶基板埋入
碳酸鋰粉末中,在常壓下、惰性氣體和還原性氣體的混合氣體氛圍中,以350℃以上且居里溫度以下的溫度進(jìn)行熱處理。另外,在這種情況下,優(yōu)選混合氣體中的還原性氣體的濃度為20.0%以下。
聲明:
“鉭酸鋰單晶基板的制造方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)