本發(fā)明公開(kāi)了一種用于鈮酸鋰光學(xué)晶片研磨拋光的拋光液的制備方法。該拋光液選用納米SiO2磨料,磨料的濃度為20～40wt%,粒徑15～30nm,以利于材料的去除及表面平整化。拋光液的pH值10～12,既能滿足有效去除,也能保證硅溶膠的穩(wěn)定性。制備過(guò)程中采用負(fù)壓攪拌制備法,避免了傳統(tǒng)的復(fù)配、機(jī)械攪拌等制備方法帶來(lái)的有機(jī)物、大顆粒、金屬離子等的污染,可以達(dá)到超凈的要求。