本發(fā)明公開了一種高質量薄膜鈮酸鋰微納光柵的制備方法，包括：對LNOI材料進行表面清潔；制備高精度的電子束標記；涂覆電子束正膠ZEP 520A，進行LNOI光柵圖形以及電子束標記保護區(qū)域曝光；蒸發(fā)剝離Ni金屬，作為光柵波導刻蝕掩膜；采用F基RIE干法刻蝕與NH₄OH：H₂O₂：H₂O的濕法處理，循環(huán)多次達到指定刻蝕深度；采用30％HNO₃去除剩余的Ni掩膜；生長氧化硅上包層。本發(fā)明所述方法用于制備LNOI光柵，有效解決了鈮酸鋰刻蝕后生成物附著問題，提高了LNOI光柵的側壁光滑度和垂直度。