本發(fā)明公開了一種鈦擴(kuò)散鈮酸鋰薄膜偏振控制器及其制造方法,包括輸入光纖、輸出光纖、基底、三個(gè)緩沖層、兩層電極;從所述基底(1)往上依次為所述二氧化硅下緩沖層(2)和所述下層金電極(3),所述下層金電極(3)之上再設(shè)置鈮酸鋰薄膜(5),所述鈮酸鋰薄膜(5)的+X向表面中間、沿晶體的Z方向設(shè)置鈦擴(kuò)散鈮酸鋰條波導(dǎo)(6);所述二氧化硅上緩沖層(7)設(shè)置于鈮酸鋰薄膜(5)的上表面;所述上層金電極(8)設(shè)置于所述二氧化硅上緩沖層(7)的上表面;所述輸入光纖、輸出光纖分別與耦合封裝在鈦擴(kuò)散鈮酸鋰條波導(dǎo)(6)上。本發(fā)明機(jī)械性能穩(wěn)定、耐高溫、抗腐蝕,具有較大的折射率和介電常數(shù),制造方法降低了生產(chǎn)難度,提高了成品率。
聲明:
“鈦擴(kuò)散鈮酸鋰薄膜偏振控制器及其制造方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)