本實用新型公開一種鈾礦測井的4H?SiC中子探測器，該探測器為肖特基結構，以n⁺型4H?SiC晶體作為襯底，利用化學氣相沉積技術在襯底的正面同質(zhì)外延生長n^?型4H?SiC外延層；利用磁控濺射技術在襯底的反面和外延層一側分別沉積多層金屬和保護層并退火處理，形成歐姆接觸和肖特基接觸；最后利用光刻和磁控濺射技術在肖特基接觸上濺射⁶LiF形成中子轉換層。除了具有常規(guī)的半導體中子探測器的優(yōu)點外，4H?SiC中子探測器還具有體積小、n/γ甄別容易、抗高溫、耐輻照的優(yōu)點。本實用新型是一種探測效率高、計數(shù)率高的4H?SiC中子探測器，適合于鈾礦測井這種狹小空間、高溫度和強輻射的環(huán)境。