一種高介電常數低介電損耗的聚偏氟乙烯基復合薄膜及其制備方法和應用，屬于嵌入式電容器和半導體存儲器件等的應用領域?，F(xiàn)有聚偏氟乙烯還難以滿足現(xiàn)在嵌入式電容器以及半導體儲存器件生產應用的需求。本發(fā)明包括制備多形貌的棒狀、線狀、球狀和立方狀納米銀@二氧化硅核殼無機粉體，同時用多形貌的納米銀@二氧化硅核殼粉體改性聚偏氟乙烯，得到一種高介電常數低介電損耗的聚合無機復合材料?？捎糜谥谱鳜F(xiàn)代嵌入式電容器和半導體存儲器件等的原材料。