本發(fā)明公開(kāi)了一種提高多晶硅太陽(yáng)能電池光電轉(zhuǎn)換效率的方法，包括以下步驟，在具有PN結(jié)的多晶硅基片上進(jìn)行刻蝕，得到周期性結(jié)構(gòu)的刻蝕坑，刻蝕坑穿過(guò)PN結(jié)，形成周期性結(jié)構(gòu)的孔洞；在孔洞中填充相變儲(chǔ)能材料；將填充相變儲(chǔ)能材料的多晶硅基片與透明導(dǎo)電玻璃組裝成太陽(yáng)能電池。多晶硅基片(6)使用HF水溶液或等離子體刻蝕，孔洞深度10～100μm，孔徑5～20μm，相變儲(chǔ)能材料(3)為相變溫度25～40℃石蠟、月桂酸–葵酸二元復(fù)合材料或分子量2000以上多元醇中的一種。本發(fā)明優(yōu)點(diǎn)：制備工藝簡(jiǎn)便、經(jīng)濟(jì)合理、電池溫度恒定、提高電池的光電轉(zhuǎn)換效率。