本發(fā)明提供了一種磁電阻元件，依次包括種子層、磁固定層、勢壘層、磁記憶層和覆蓋層。其中磁固定層的磁化方向不變且磁各向異性垂直于層表面，磁固定層又細(xì)分為具有面心立方晶格結(jié)構(gòu)的磁穩(wěn)定層，晶格轉(zhuǎn)化結(jié)合層和磁參考層。磁采用鐵鈷硼復(fù)合材料，且其磁激化方向可變并垂直于層表面。勢壘層位于磁參考層和磁記憶層之間，是一種氧化膜。種子層材料具有幫助磁穩(wěn)定層形成熱穩(wěn)定的面心立方晶格結(jié)構(gòu)的功能。高溫退火后磁參考層和磁記憶層中的鐵鈷硼從非晶態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)轶w心立方的晶態(tài)結(jié)構(gòu)。通過引入晶格轉(zhuǎn)化結(jié)合層將具有面心立方晶格結(jié)構(gòu)的磁穩(wěn)定層與上面具有體心立方結(jié)構(gòu)的鐵鈷硼參考層有機(jī)結(jié)合起來。本發(fā)明還提供了上述磁電阻元件的制備工藝。