一種MoS₂/Graphene二維材料異質(zhì)結(jié)可見(jiàn)光催化劑的制備方法，通過(guò)CVD法在銅箔表面制備單層均勻石墨烯，通過(guò)濕法轉(zhuǎn)移把單層石墨烯轉(zhuǎn)移到二氧化硅基底表面，再通過(guò)兩步CVD生長(zhǎng)方法，在石墨烯表面生長(zhǎng)MoS₂，制備出MoS₂/Graphene二維材料異質(zhì)結(jié)可見(jiàn)光催化劑，其中，石墨烯具有優(yōu)異的導(dǎo)電性能，能加速M(fèi)oS₂表面電子的傳輸，且異質(zhì)結(jié)能夠提高界面處電子空穴的分離效率，將提高復(fù)合材料的光電催化效率。