本發(fā)明屬微電子技術(shù)領(lǐng)域,具體為一種多值相變存儲器的實現(xiàn)方法。它利用相變薄膜材料或相變薄膜材料與其它半導(dǎo)體材料的復(fù)合材料的半導(dǎo)體特性構(gòu)建半導(dǎo)體薄膜晶體管,利用相變材料可以在電學(xué)作用下電阻發(fā)生可逆變化的特性來改變半導(dǎo)體薄膜晶體管的溝道長度,達到在單個存儲單元中存儲多位數(shù)據(jù)的多值存儲的功能。由于薄膜晶體管可以構(gòu)成空間的立體結(jié)構(gòu)提高密度,而不占用硅襯底的面積。因此采用本發(fā)明方法的存儲器件可以極大的提高存儲密度,同時解決目前基于1T1R結(jié)構(gòu)的相變存儲器的外圍電路占用硅襯底面積大的問題。