本發(fā)明涉及納米
復(fù)合材料合成技術(shù)領(lǐng)域,針對金屬納米片構(gòu)筑步驟繁瑣、制備周期長的問題,提供一種金屬納米片的制備方法,先在硅襯底上自組裝出密排的PS膠體球陣列,得到有序PS膠體球陣列模板;再在表面磁控濺射一層金屬膜,形成金屬納米帽子陣列(MFON);然后在表面繼續(xù)濺射氧化物薄膜,重復(fù)濺射金屬膜和氧化物薄膜0?9次得到納米柱[M/(XaOb)]n(n=1?10)多層膜結(jié)構(gòu);最后除去PS膠體球陣列進(jìn)行退火處理,即得金屬納米片。本發(fā)明將PS膠體球模板和物理沉積技術(shù)相結(jié)合,步驟簡單、金屬消耗量少、重復(fù)性好,且制得的金屬納米片比表面積大。
聲明:
“金屬納米片的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)