本發(fā)明公開了一種低介電常數(shù)聚酰亞胺薄膜的制備方法，所述的低介電常數(shù)聚酰亞胺薄膜的制備方法為：在聚酰亞胺基體中加入表面接氟的介孔二氧化硅形成復(fù)合材料，一方面加入中空填料引入空氣可以降低薄膜的介電常數(shù)，除此之外，表面的氟元素具有強(qiáng)的吸電子效應(yīng)，也會(huì)降低聚酰亞胺薄膜的離散電子能級(jí)，可以進(jìn)一步降低聚酰亞胺復(fù)合薄膜的介電常數(shù)。使得復(fù)合薄膜的介電常數(shù)最低可降至2.6左右，并且薄膜的熱性能并沒有出現(xiàn)顯著的降低，本發(fā)明方法簡單可行且經(jīng)濟(jì)成本低，在電子和微電子行業(yè)具有廣闊的應(yīng)用前景。