本發(fā)明提供了一種Cu2O/ZnO納米線陣列復(fù)合薄膜光催化材料的制備方法,首先采用兩步法在氟摻雜二氧化錫導(dǎo)電玻璃(FTO)基底上制備得到ZnO納米線陣列薄膜:具體地,第一步通過浸漬?提拉法得到ZnO種子層;第二步利用水熱生長得到ZnO納米線陣列薄膜;然后采用
電化學(xué)沉積的方法在ZnO納米線陣列薄膜上成功負(fù)載Cu2O顆粒,從而制得Cu2O/ZnO復(fù)合薄膜。本發(fā)明以FTO為基底,可控制備了具有優(yōu)異光催化性能的
復(fù)合材料,其在模擬可見光照射下對(duì)鹽酸強(qiáng)力霉素的降解率可達(dá)70%~80%,這表明該方法所制備的催化劑在有機(jī)廢水處理方面具有廣闊的應(yīng)用前景。
聲明:
“Cu2O/ZnO納米線陣列復(fù)合薄膜光催化材料的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)