本發(fā)明涉及一種耐高溫低功耗的SiC?MOSFET功率器件的制備方法及其結(jié)構(gòu)，包括以下步驟：在SiC襯底上生長N?漂移層；在所述N?漂移層內(nèi)制備P阱；在所述P阱內(nèi)制備N+源區(qū)和P+接觸區(qū)；依次制備第一隔離介質(zhì)層、柵極和第二隔離介質(zhì)層；在所述N+源區(qū)和所述P+接觸區(qū)表面制備歐姆接觸孔；在所述歐姆接觸孔中制備源極歐姆接觸金屬層；在所述源極歐姆接觸金屬層和所述第二隔離介質(zhì)層上制備源極銅石墨烯電極；在所述SiC襯底背面依次制備漏極歐姆接觸金屬層和漏極電極，最終形成所述耐高溫低功耗的SiC?MOSFET功率器件。在本實(shí)施例中，通過磷離子注入結(jié)合低溫氧化對(duì)界面形成磷鈍化的效果，源極電極采用銅石墨烯復(fù)合材料，提高了器件耐高溫的性能降低了器件的功耗。