一種三維網(wǎng)絡結(jié)構ZnO/ErGO薄膜的制備方法,其主要是以改進的Hummers法制備氧化
石墨烯,配制氧化石墨烯水溶液,在ITO導電玻璃上,用
電化學還原沉積的方法制備石墨烯薄膜(ErGO),然后再電沉積制備具有三維網(wǎng)絡結(jié)構的ZnO/ErGO薄膜。本發(fā)明實現(xiàn)了石墨烯上低溫≤70℃直接生長金屬氧化物
半導體材料ZnO,且方法簡單、可控、成本低、環(huán)境友好,ZnO/ErGO/ITO界面結(jié)合力強,可以最大限度的發(fā)揮ZnO與石墨烯的協(xié)同效應,獲得性能優(yōu)越的納米
復合材料。
聲明:
“三維網(wǎng)絡結(jié)構ZnO/ErGO薄膜的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)