本發(fā)明公開(kāi)了一種
石墨烯負(fù)載均勻單一氧化物量子點(diǎn)的制備方法,將石墨烯均勻分散在助溶劑中;然后加入金屬鹽,使金屬離子吸附在石墨烯的表面;再加入干冰,然后放入高壓反應(yīng)釜中,加熱攪拌反應(yīng)后得到前驅(qū)體,將前驅(qū)體在惰性氣氛中煅燒后即得石墨烯負(fù)載均勻單一氧化物量子點(diǎn)的
復(fù)合材料。本發(fā)明采用干冰為膨脹劑,加熱后干冰迅速膨脹并在高壓反應(yīng)釜中形成高壓,從而形成超臨界二氧化碳膨脹體系,二氧化碳溶解在少量的結(jié)晶水中形成的碳酸根離子參與了前驅(qū)體的形成,不需要氨水、氫氧化鈉、氫氧化鉀等沉淀劑或者用于均勻分散的表面活性劑,無(wú)需洗滌等復(fù)雜的后處理,同時(shí)限制了顆粒的結(jié)晶以及粒徑的增大。
聲明:
“石墨烯負(fù)載均勻單一氧化物量子點(diǎn)的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)