本發(fā)明涉及一種電子元件的微結(jié)構(gòu)化方法，其提 供高分辨率(≤200納米)和良好縱橫比，但明顯比照相平版印 刷法更為經(jīng)濟。根據(jù)本發(fā)明的方法包括下列步驟：i)制備如權(quán) 利要求1的納米復(fù)合材料組合物的未固化的平面溶膠膜；ii)制 備由底涂層b)和載體c)組成的目標底材；iii)借助微結(jié)構(gòu)化的轉(zhuǎn) 移壓印沖頭將得自i)的溶膠膜材料轉(zhuǎn)移至ii)中的底涂層b)上； iv)將轉(zhuǎn)移的溶膠膜材料予以固化；v)移除轉(zhuǎn)移壓印沖頭，得到 壓印的微結(jié)構(gòu)作為頂涂層a)。微結(jié)構(gòu)化的半導(dǎo)體材料的制備另 外包括下列步驟：vi)等離子體蝕刻殘余的納米復(fù)合材料溶膠膜 層，優(yōu)選用 CHF3/O2等離子體，vii)等離子體蝕刻底涂層，優(yōu)選用 O2等離子體，viii)蝕刻半導(dǎo)體材 料或者在經(jīng)蝕刻區(qū)域摻雜半導(dǎo)體材料。