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制備AL/ALN電子封裝材料的方法

819   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-18 17:20:39
一種制備AL/ALN電子封裝材料的方法,屬于電子封裝技術(shù)領(lǐng)域。工藝步驟為:使用凝膠注模成形或注射成形制備MG粉與AL粉的混合粉末或鎂鋁合金粉末坯體;坯體在溫度為100℃~500℃和非氧化氣氛下排除有機物;使上一步得到的坯體在溫度為在600℃~900℃,氮氣分壓為1KPA~10MPA的氣氛中燒結(jié)30分鐘~120小時。優(yōu)點在于。最終得到AL/ALN復(fù)合電子封裝材料,該材料的N的質(zhì)量分?jǐn)?shù)量為3%~30%。同時,制備的AL/ALN復(fù)合材料的熱導(dǎo)率在100W/M·K以上,滿足了電子產(chǎn)品散熱的需求。實現(xiàn)了低成本的制造高熱導(dǎo)低熱膨脹的電子封裝材料。
聲明:
“制備AL/ALN電子封裝材料的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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