本發(fā)明公開了一種低功耗抗疲勞的相變存儲單元,包括:下電極,位于下電極之上的介質(zhì)材料過渡層,位于介質(zhì)材料過渡層之上的復(fù)合相變材料層以及復(fù)合相變材料層之上的上電極;介質(zhì)材料過渡層采用第一介質(zhì)材料,為Ta2O5、TiO2、CeO2中的一種或多種;復(fù)合相變材料層為相變材料和第二介質(zhì)材料構(gòu)成的復(fù)合材料,第二介質(zhì)材料為SiO2、HfO2、Ta2O5、TiO2、CeO2中的一種或多種。本發(fā)明還提供了制備該低功耗抗疲勞的相變存儲單元的方法,所得相變存儲單元可減小熱量損失,防止相變材料揮發(fā),提高熱穩(wěn)定性,優(yōu)化界面,減小相變前后應(yīng)力變化,有利于器件性能的穩(wěn)定,一方面降低了器件功耗,另一方面提高了器件的抗疲勞特性。