公開了一種在半導體或集成電路襯底上的介電薄膜及其制造方法,其中,所述介電薄膜具有基本由無機基團和有機基團構成的骨架結構和結合在所述骨架結構上的有機側基,形成一種無機和有機材料的
復合材料,從而提供了具有小于4.0的介電常數并表現出在氮氣中在400℃失重小于每小時2%的所述薄膜。所述介電薄膜通過等離子體CVD法沉積在位于支架(16)上的襯底(14)上,所述支架通過射頻電源(18)偏置。通過氣體進口(26)或(28)把有機硅前體引入到沉積室(11)中。
聲明:
“低K介電無機/有機復合薄膜及其制造方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯系該技術所有人。
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