本發(fā)明公開了一種雙殼核殼結(jié)構(gòu)粒子BT@SSMWNT@PANI的制備方法及該粒子在制備聚合物復(fù)合電介質(zhì)材料中的應(yīng)用。本發(fā)明通過(guò)原位聚合法在BT@SSCNT單殼核殼結(jié)構(gòu)粒子的SSCNT殼層表面引入聚苯胺，制備了BT@SSCNT@PANI雙殼核殼結(jié)構(gòu)粒子。以該核殼粒子為填料，采用流延法制備了聚偏氟乙烯基高介電復(fù)合材料BT@SSCNT@PANI/PVDF。本發(fā)明制備的雙殼核殼結(jié)構(gòu)粒子的殼層具有由內(nèi)至外電導(dǎo)率依次遞增的特征，所制備的PVDF基柔性介電復(fù)合材料，在獲得了高的介電常數(shù)的同時(shí)有效地抑制了介電損耗，特別是填充量為30 wt%時(shí)，介電常數(shù)高達(dá)1805（1 KHz），介電損耗僅為0.42。通過(guò)填料微觀結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，具有梯度導(dǎo)電性雙殼核殼結(jié)構(gòu)粒子使聚合物復(fù)合電介質(zhì)材料實(shí)現(xiàn)了介電常數(shù)和介電損耗協(xié)同改善。