本發(fā)明公開了一種抗靜電復(fù)合納米材料薄膜及其制備方法。首先利用改進Hummers法制備氧化石墨烯納米帶，用KH550進行改性得到K?GONRs，再用水合肼還原，制得FGNRs；然后FGNRs與CNFs在超聲狀態(tài)下共混，形成納米復(fù)合材料，最后以TPU樹脂為基體，采用溶液涂覆成膜工藝制得FGNRs?CNFs/TPU復(fù)合薄膜。本發(fā)明中FGNRs附著在骨架CNFs上形成穩(wěn)定的FGNRs?CNFs網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)，這有利于其在TPU中均勻分散。FGNRs?CNFs插層與TPU基體間的緊密結(jié)合使得復(fù)合材料薄膜具有優(yōu)異的抗靜電性能和阻隔性能，可以應(yīng)用在日益發(fā)達的電子精密材料上面，具有廣泛的應(yīng)用前景。