本發(fā)明公開(kāi)了一種碳包覆硅?錫復(fù)合負(fù)極片的制備方法。包括以下幾個(gè)步驟:(1)將硅粉、錫粉與人造石墨粉A進(jìn)行機(jī)械高能球磨,制得硅?錫復(fù)合粉;(2)將硅?錫復(fù)合粉與人造石墨粉B進(jìn)行混合,制得硅?錫復(fù)合粉基體;(3)利用化學(xué)氣相沉積方法對(duì)硅?錫復(fù)合粉基體進(jìn)行碳包覆,制得碳包覆硅?錫
復(fù)合材料;(4)將碳包覆硅?錫復(fù)合材料、粘結(jié)劑與導(dǎo)電劑進(jìn)行混合,制得碳包覆硅?錫復(fù)合漿料;(5)將碳包覆硅?錫復(fù)合漿料在銅箔上進(jìn)行單面涂布,制得碳包覆硅?錫復(fù)合負(fù)極片。本發(fā)明具有體積穩(wěn)定、能量密度大、導(dǎo)電性好、循環(huán)穩(wěn)定以及使用壽命長(zhǎng)的特點(diǎn)。
聲明:
“碳包覆硅?錫復(fù)合負(fù)極片的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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