本發(fā)明屬于光
電化學(xué)陰極保護(hù)領(lǐng)域,具體地講,本發(fā)明涉及一種用于模擬真實(shí)海洋環(huán)境下的光電化學(xué)陰極保護(hù)的納米片陣列復(fù)合光電材料及其制備方法和應(yīng)用。本發(fā)明通過簡(jiǎn)單的一步水熱法合成具有高能晶面的TiO
2納米片陣列基底薄膜,并通過兩次連續(xù)離子層吸附反應(yīng)(SILAR)在納米片表面沉積AgInSe
2/In
2Se
3納米復(fù)合層構(gòu)成多相異質(zhì)結(jié)體系。與單一AgInSe
2敏化的TiO
2納米片陣列光陽極相比,AgInSe
2/In
2Se
3/TiO
2多相異質(zhì)結(jié)的構(gòu)建進(jìn)一步優(yōu)化了能帶的匹配,降低了電荷轉(zhuǎn)移勢(shì)壘,有助于增強(qiáng)光電轉(zhuǎn)換性能。在模擬太陽光照射下,當(dāng)
復(fù)合材料與不銹鋼或銅等金屬材料偶聯(lián)時(shí),可產(chǎn)生較大的光生電流,在模擬海洋環(huán)境中展現(xiàn)了高效的光電化學(xué)陰極保護(hù)性能。本發(fā)明具有實(shí)驗(yàn)操作簡(jiǎn)單易行,產(chǎn)品綠色高效,光電轉(zhuǎn)換效率高的特點(diǎn)。
聲明:
“用于光電化學(xué)陰極保護(hù)的納米片陣列復(fù)合光電材料及制備和應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)