本發(fā)明公開一種以微硅粉為原料制備Si/C
負極材料的方法,所述方法為:將微硅粉進行酸洗后,進行球磨后與有機物前驅體混合干燥經(jīng)碳化得到SiO2/C
復合材料,經(jīng)低溫鎂熱還原后,經(jīng)酸洗、離心和干燥得到多孔Si/C復合材料。本發(fā)明制備的多孔硅復合材料,不僅采用了先進行包碳后還原的思路,同時采用了250℃低溫進行反應,沒有副產(chǎn)物產(chǎn)生,碳殼阻礙了鎂熱還原過程中Si顆粒的團聚現(xiàn)象。
聲明:
“以微硅粉為原料制備Si/C負極材料的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)