本發(fā)明涉及一種基于化學氣相沉積的半導體
復合材料的制備方法,在化學氣相沉積反應室內(nèi),采用半導體合成原料以化學氣相沉積法在基底上沉積
半導體材料,得到半導體材料與基底之間具有耦合界面的目的產(chǎn)物。與現(xiàn)有技術相比,本發(fā)明利用化學氣相沉積制備出具有特定耦合界面的金屬半導體復合物,該材料既具備了基底金屬材料的優(yōu)異電導性能和表面結構性質(zhì),同時又因其特殊的耦合界面,使得材料的電催化性能進一步提高。
聲明:
“基于化學氣相沉積的半導體復合材料的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)