一種SiC_P增強(qiáng)銅基復(fù)合材料的制備方法,屬于銅基復(fù)合材料技術(shù)領(lǐng)域。其特征是按以下步驟進(jìn)行：一、將氮化硼坩堝放置在高頻感應(yīng)爐的真空箱體內(nèi)，氮化硼坩堝與鉬電極相連，氮化硼坩堝內(nèi)裝有16mm×16mm×30mm的純銅樣品件，再將表面上鍍有一層厚度為0.095μm薄鎳、顆粒度為10μm的SiCp放置在純銅樣品件上表面；二、用高頻感應(yīng)爐對(duì)氮化硼坩堝內(nèi)的純銅樣品件進(jìn)行加熱至700℃，使樣品件全部熔化；三、對(duì)金屬熔體進(jìn)行保溫處理，保溫時(shí)間為10min；四、待保溫時(shí)間結(jié)束后，對(duì)保溫后的金屬熔體施加電脈沖，作用時(shí)間為10min。優(yōu)點(diǎn)是工藝高效可靠，可以獲得更均勻的組織，并可以對(duì)SiC_P的顆粒度以及體積分?jǐn)?shù)量進(jìn)行調(diào)控，實(shí)現(xiàn)工業(yè)化生產(chǎn)。