本發(fā)明公開了一種提升石墨烯片?硅納米線陣列復(fù)合材料場發(fā)射性能的方法，屬于納米材料的制備和應(yīng)用領(lǐng)域。包括以下制備工藝：(1)金屬催化腐蝕法制備硅納米線陣列；(2)對硅納米線進行載能銀離子轟擊處理；(3)利用微波等離子體增強化學氣相沉積法在硅納米線陣列上制備薄層石墨烯片；(4)利用氮、氫等離子體在室溫下處理所得的石墨烯片?硅納米線陣列；(5)對所得氮摻雜石墨烯片?硅納米線陣列進行高溫退火處理。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本方法所制備的氮摻雜石墨烯片?硅納米線陣列復(fù)合材料具有工作電場低、場發(fā)射電流密度高和穩(wěn)定性好等特點，有很高的應(yīng)用價值。