本發(fā)明公開(kāi)了一種環(huán)氧基復(fù)合材料深陷阱涂層及應(yīng)用，所述涂層為添加有納米碳化硅的環(huán)氧樹(shù)脂。所述納米碳化硅添加的比例為1?7wt％。作為優(yōu)選，所述納米碳化硅添加的比例為5wt％。本發(fā)明所制備得到的EP/SiC涂層通過(guò)調(diào)控試樣表面的微觀陷阱分布來(lái)改變宏觀上試樣表面電荷分布狀態(tài)，可以明顯抑制電荷的注入和表面電荷的積聚現(xiàn)象，提高環(huán)氧基復(fù)合材料的閃絡(luò)電壓。該涂層能夠大面積的應(yīng)用于已成型的設(shè)備絕緣，可以顯著提高其表面絕緣性能，具備較高的經(jīng)濟(jì)價(jià)值和實(shí)用效果。