本發(fā)明公開了一種Cu/Si納米多孔陣列
復(fù)合材料的制備方法。本發(fā)明用浸漬鍍膜技術(shù)制備Cu/Si納米多孔陣列復(fù)合
納米材料的方法,可以對(duì)復(fù)合納米體系中納米顆粒尺寸、晶粒和形貌進(jìn)行人為控制;該方法能將納米Cu均勻地沉積在多孔硅上,并保持基底多孔硅原有的分布均勻、孔隙率高、呈柱狀陣列的微米—納米結(jié)構(gòu)特點(diǎn);該工藝具有儀器簡單、操作方便的特點(diǎn)。
聲明:
“Cu/Si納米多孔陣列復(fù)合材料的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)