本發(fā)明公開了一種制備SiO/C復(fù)合材料的設(shè)備，其包括爐體，以及在爐體內(nèi)部的反應(yīng)室，過渡室，沉積室和真空室。在低真空度下，反應(yīng)室中的固態(tài)硅和二氧化硅會(huì)在1000?2000℃的高溫下反應(yīng)生成氧化硅蒸氣，經(jīng)過過渡室的傳導(dǎo)進(jìn)入沉積室。在此同時(shí)通入有機(jī)碳源氣體，有機(jī)碳源氣體在一定溫度下能裂解成非晶態(tài)導(dǎo)電碳，它與氧化硅蒸汽相互結(jié)合，最后會(huì)在沉積室的沉積基體上共同沉積出來，得到的是內(nèi)部碳層分布均勻，外部含有碳包覆層的SiO/C復(fù)合材料。