本發(fā)明涉及一種磁控濺射法制備GaN/導(dǎo)電基體復(fù)合材料的方法，該復(fù)合材料為GaN，具體制備方法為：將純度我99.99％GaN靶材和金屬襯底分別安置于濺射腔中，靶材與襯底距離D＝7cm；對(duì)腔體進(jìn)行抽真空，V≥1×10?7Torr；對(duì)襯底進(jìn)行加熱，并將其溫度保持在25～700℃；利用磁控濺射對(duì)靶材進(jìn)行轟擊，在金屬襯底上沉積生長(zhǎng)GaN。所制備GaN直接生長(zhǎng)在導(dǎo)電基體上，與基體結(jié)合緊密；GaN材料的生長(zhǎng)厚度可通過調(diào)整時(shí)間進(jìn)行控制；所制備樣品中GaN為均勻的納米顆粒，平均尺寸在40nm；所制備GaN可作為鈉離子電池負(fù)極材料，具有較高充、放電容量和較低的充、放電平臺(tái)。