本發(fā)明公開一種基于ZIF?8衍生Pd?ZnO的光激發(fā)高選擇性室溫氫氣傳感器制備方法。通過調(diào)控材料含量與添加順序，將Pd固定在ZIF?8的孔隙及表面，并通過碳化燒結(jié)工藝制備得到Pd?ZnO納米復(fù)合材料。利用紫外光的電學(xué)激發(fā)與活化特性，將上述Pd?ZnO納米復(fù)合材料制備成傳感器后，暴露于365nm紫外光下，可實(shí)現(xiàn)對氫氣的高選擇性室溫檢測。本發(fā)明針對現(xiàn)有金屬氧化物半導(dǎo)體型氫氣傳感器工作溫度高、低溫下響應(yīng)/恢復(fù)時間長以及選擇性差等問題，提出了一種在室溫下對氫氣高選擇性響應(yīng)的方法。本發(fā)明方法具有傳感器制備簡單、室溫下對氫氣具有高選擇性響應(yīng)以及高穩(wěn)定性等優(yōu)點(diǎn)，在大力發(fā)展氫能源的背景下，研發(fā)此類光激發(fā)代替熱激發(fā)的本質(zhì)安全型室溫響應(yīng)氫氣傳感器，具有廣闊應(yīng)用前景。