本發(fā)明涉及具有高介電常數(shù)的聚酰亞胺納米
復(fù)合材料及其制備方法,屬于有機/無機雜化材料領(lǐng)域。本發(fā)明所提供的聚酰亞胺納米復(fù)合薄膜材料以二酸酐單體和二胺單體縮聚得到的聚酰亞胺為基體,并摻雜
石墨烯和納米鈦酸鋇。其中石墨烯在材料中的體積分數(shù)為0~3%,納米鈦酸鋇在材料中的體積分數(shù)為0~20%。二酸酐單體與二胺單體的摩爾比例為1.1~1∶1。本發(fā)明所提供的聚酰亞胺納米復(fù)合材料在具有很高的介電常數(shù)和低損耗的同時,仍能夠保持優(yōu)良的力學(xué)性能,從而克服了現(xiàn)有兩相高介電材料韌性差、填料量難控制等問題。本發(fā)明提供的聚酰亞胺復(fù)合薄膜材料適用于高性能嵌入式電容器、印刷電路板等微電子領(lǐng)域元器件。
聲明:
“高介電聚酰亞胺復(fù)合材料及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)